Effect of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Chinese Physics B
• 第一作者：
  Peng Cui
• 全部作者：
  Zhaojun Lin,Chen Fu,Yan Liu,YuanJie Lv
• 卷号：
  26
• 期号：
  12
• 页面范围：
  127102
• DOI码：
  10.1088/1674-1056/26/12/127102
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-06
• 收录刊物：
  SCI