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论文成果
Effect of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物：
    Chinese Physics B
  • 全部作者：
    Zhaojun Lin,Chen Fu,Yan Liu,YuanJie Lv
  • 第一作者：
    Peng Cui
  • 卷号：
    26
  • 期号：
    12
  • 页面范围：
    127102
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2017-06-01
  • 收录刊物：
    SCI

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