论文成果
Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Superlattices and Microstructures
  • 全部作者:
    Huan Liu,Aijie Cheng,Yan Liu,Chen Fu,Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Chongbiao Luan
  • 第一作者:
    Peng Cui
  • 通讯作者:
    Zhaojun Lin
  • 卷号:
    100
  • 页面范围:
    358
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2016-12-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

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