Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Superlattices and Microstructures
• 第一作者：
  Peng Cui
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Chongbiao Luan,Zhihong Feng,Yuanjie Lv,Chen Fu,Yan Liu,Aijie Cheng,Huan Liu
• 卷号：
  100
• 页面范围：
  358
• DOI码：
  10.1016/j.spmi.2016.09.039
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2016-12
• 收录刊物：
  SCI