Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  IEEE Transactions on Electron Devices
• 第一作者：
  Ming Yang
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Wei Lin,Peng Cui,Yan Liu,Chen Fu
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  63
• 期号：
  10
• 页面范围：
  3908
• DOI码：
  10.1109/TED.2016.2597156
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2016-10
• 收录刊物：
  SCI