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论文成果

Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering

发表刊物：

IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者：

Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Wei Lin,Peng Cui,Yan Liu,Chen Fu
第一作者：

Ming Yang
论文类型：

期刊论文
通讯作者：

Zhaojun Lin
卷号：

63
期号：

10
页面范围：

3908
是否译文：

否
发表时间：

2016-10-01
收录刊物：

SCI

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