Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Superlattices and Microstructures
• 第一作者：
  Huan Liu
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin,Aijie Cheng
• 全部作者：
  Chongbiao Luan,Zhihong Feng,Yuanjie Lv,Chen Fu,Yan Liu,Peng Cui
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  103
• 页面范围：
  113
• DOI码：
  10.1016/j.spmi.2017.01.031
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-01
• 收录刊物：
  SCI