论文成果
Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
  • 发表刊物:
    Superlattices and Microstructures
  • 全部作者:
    Peng Cui,Yan Liu,Chen Fu,Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Chongbiao Luan
  • 第一作者:
    Huan Liu
  • 论文类型:
    期刊论文
  • 通讯作者:
    Aijie Cheng,Zhaojun Lin
  • 卷号:
    103
  • 页面范围:
    113
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2017-01-01
  • 收录刊物:
    SCI

上一条:Study of the parasitic source resistance at the different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

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