崔鹏山东大学主页平台管理系统--中文主页

返回中文主页

论文成果

Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs

发表刊物：

IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者：

Jingtao Zhao,Peng Cui,Chen Fu,Yuanjie Lv,Zhihong Feng
第一作者：

Ming Yang
论文类型：

期刊论文
通讯作者：

Zhaojun Lin
卷号：

63
期号：

4
页面范围：

1471
是否译文：

否
发表时间：

2016-03-01
收录刊物：

SCI

上一条：Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

下一条：Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties and the strain of the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with Ni/Au gate electrodes