Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  IEEE Transactions on Electron Devices
• 第一作者：
  Ming Yang
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Jingtao Zhao,Peng Cui,Chen Fu,Yuanjie Lv,Zhihong Feng
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  63
• 期号：
  4
• 页面范围：
  1471
• DOI码：
  10.1109/TED.2016.2532919
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2016-03
• 收录刊物：
  SCI