Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间：2021-11-29

• 发表刊物：
  Journal of Applied Physics
• 第一作者：
  Ming Yang
• 通讯作者：
  Zhaojun Lin
• 全部作者：
  Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Wei Lin,Peng Cui,Yan Liu,Chen Fu
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  119
• 页面范围：
  224501
• DOI码：
  10.1063/1.4953645
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2016-06
• 收录刊物：
  SCI