崔鹏 (研究员)

研究员 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:山东大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士

所在单位:新一代半导体材料研究院

入职时间:2021-11-26

办公地点:山东大学中心校区半导体大楼413

联系方式:pcui@sdu.edu.cn

电子邮箱:pcui@sdu.edu.cn

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

点击次数:

发表刊物:Journal of Applied Physics

全部作者:Yuanjie Lv,Zhihong Feng,Wei Lin,Peng Cui,Yan Liu,Chen Fu

第一作者:Ming Yang

论文类型:期刊论文

通讯作者:Zhaojun Lin

卷号:119

页面范围:224501

是否译文:

发表时间:2016-06-01

收录刊物:SCI

发表时间:2016-06-01

上一条: Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering

下一条: Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs