专利
一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    202310696789.8
  • 发明人数:
    8
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2023-06-13
  • 公开日期:
    2025-02-11
  • 授权日期:
    2025-02-11

下一条:一种氮化镓HEMT器件及其制备方法

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