本方向主要从事宽禁带半导体材料氧化镓及相关材料的外延生长、光电和功率器件制备研究。目前学院和课题组有Mist-CVD、PLD等外延设备，MOCVD设备将于2024年到位；可以实现2-4英寸同质、异质氧化镓外延生长和掺杂；进一步，基于氧化镓外延薄膜可以制备氧化镓日盲光电探测器、功率器件及电路系统。
Hua Yu Feng
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Gender:Male
Education Level:With Certificate of Graduation for Doctorate Study
Alma Mater:马德里自治大学
Research Focus
Current position:
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氧化镓外延、光电器件、功率器件