教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing 发表刊物：Solid-State Electronics 第一作者：陈思衡 论文编号：1754450306790084609 卷号：213 字数：4000 是否译文：否 发表时间：2024-03-01 发表时间：2024-03-01
