教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode 发表刊物：IEEE Electron Device Letters 第一作者：王新宇 论文编号：1806576903362662402 字数：3 是否译文：否 发表时间：2024-08-10 发表时间：2024-08-10
