教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：罗鑫
论文编号：1843556233512062977
卷号：125
期号：12
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-09