教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer 发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS 第一作者：罗鑫 论文编号：1843556233512062977 卷号：125 期号：12 字数：4000 是否译文：否 发表时间：2024-09-16 发表时间：2024-09-16
