qs6
MDx
fKa
WVv
KVb
HUo
n2S
MAw
dDO
JI7
KEM
Dht
DLy
dvY
j6t
AVn
qvW
Yjd
OTv
bkv
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
科研团队
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
更多
`
中文
English
胡小波
职称:教授
所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
教师姓名:
胡小波
教师拼音名称:
huxiaobo
入职时间:
1997-09-01
所在单位:
晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
性别:
男
职称:
教授
在职信息:
在职
所属院系:
晶体材料研究院
当前位置:
中文主页
>>
科学研究
>>
科研项目
标题:
升华法生长氮化铝单晶
点击次数:
项目名称:
升华法生长氮化铝单晶
所属单位:
晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
负责人姓名:
胡小波
项目来源单位:
国家基金委
项目性质:
纵向
项目级别:
国家级
项目参与人员:
胡小波
项目编号:
kyxm-30405
项目批准号:
50472068
立项时间:
2005-01-30
计划完成时间:
2007-12-30
结项日期:
2007-12-30
开始日期:
2005-01-30
发布时间:
2019-04-17
上一条:
6H-SiC单晶生长研究
下一条:
SiC单晶衬底的超精密加工
扫一扫用手机查看