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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
科学研究
论文成果
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李华东. Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals. Physica Script, 2024.
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邵宏宇. Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates. Journal of Electronic Materials , 2024.
专利
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一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
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一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
著作成果
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半导体材料研究进展
Silicon Carbide-Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
Investigation on the spontaneous strain and ferroelastic domain structures in NdP<sub>5</sub>O<sub>14</sub> crystals by high resolution X-ray diffractometry
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科研项目
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高质量低成本8 英寸碳化硅材料与器件应用研究, 2022-11-01-2025-12-31
宽禁带半导体协同创新中心, 2019-09-01-2022-08-30
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金刚石单晶及深紫外探测器芯片技术研究, 2019-01-01-2021-12-31
具有重大应用前景的功能晶体材料, 2014-01-01-2016-12-31
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院