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胡小波
职称:教授
所在单位:晶体材料研究院
教师拼音名称:
huxiaobo
入职时间:
1997-09-01
所在单位:
晶体材料研究院
性别:
男
在职信息:
在职
是否在职:
1
科学研究
论文成果
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王新宇. Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode. IEEE Electron Device Letters, 2024.
邵宏宇. Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates. Journal of Electronic Materials , 2024.
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胡国杰. Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by physical vapor transport growth. 140-142, 2024.
熊希希. 低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备. Journal of Inorganic Materials, 1-2, 2024.
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一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
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著作成果
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半导体材料研究进展
Silicon Carbide-Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
Investigation on the spontaneous strain and ferroelastic domain structures in NdP<sub>5</sub>O<sub>14</sub> crystals by high resolution X-ray diffractometry
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激光熔化沉积CoxNiy/NbMoWTa 微叠层复合材料组织演变与性 能调控研究, 2020-12-12-2023-12-31
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45吨双熔敷极焊条涂压机研制与开发, 2005-12-10-2007-12-30
铝合金表面摩擦改性机理及工艺研究, 2011-07-01-2014-12-31
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