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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
教师姓名：
胡小波
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：
男
职称：
教授
在职信息：
在职
所属院系：
晶体材料研究院
科学研究
论文成果
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李斌. 单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究. 《人工晶体学报》, 52, 442-451, 2025.
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王江风. Decoding “black-white band” defects in PVT grown 4H-SiC and its suppression through thermal field optimization.pdf. Materials Science in Semiconductor Processing, 2025.
张宁. Numerical simulation of thick SiC crystal based on ring-shaped powder structure. Journal of crystal growth, 665, 2025.
王兴龙. Induction frequency modulation for 4H-SiC growth: Thermal field evolution, dislocation suppression, and high-quality crystal preparation via PVT method. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS , 1036, 2025.
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一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶
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一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
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半导体材料研究进展
Silicon Carbide-Materials, Processing and Applications in Electronic Devices
Investigation on the spontaneous strain and ferroelastic domain structures in NdP<sub>5</sub>O<sub>14</sub> crystals by high resolution X-ray diffractometry
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）