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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
教师姓名：
胡小波
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：
男
职称：
教授
在职信息：
在职
所属院系：
晶体材料研究院
专利
[1] 一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶
[2] 一种无定位边的SiC衬底加工及使用方法
[3] 一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法
[4] 一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
[5] 一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
[6] 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
[7] 一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
[8] 一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
[9] 一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法
[10] 一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
共 24 条 1/3
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）