首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
科研团队
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
更多
`
中文
English
胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
专利
[1]一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
[2]一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
[3]一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
[4]一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
[5]一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
[6]一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法
[7]一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
[8]一种实现工件不同厚度切割的多线切割机罗拉及其使用方法
[9]一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法
[10]一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法
[11]有色碳硅石宝石及其制备方法
[12]一种对偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法
[13]用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
[14]在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法
[15]一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法
[16]一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法
[17]一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法
[18]一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
[19]利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割SiC单晶的方法
[20]一种低电耗、快速合成SiC粉料的方法
[21]用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法
共21条 1/1
首页
上页
下页
尾页
扫一扫用手机查看
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院