标题：
6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究
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项目名称：
6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
负责人姓名：
杨祥龙
项目性质：
纵向
项目级别：
省、部委级
项目参与人员：
姬长来,王建军,宿元花,张防珍,杨祥龙,胡小波,谢雪健,陈秀芳,肖龙飞
项目编号：
922926098F5071C3E053BE07C2CA50B0
项目批准号：
2019B010126001
立项时间：
2019-01-01
计划完成时间：
2021-12-31
结项日期：
2021-12-31
开始日期：
2019-01-01
发布时间：
2020-03-21
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）