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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

Optical Materials

第一作者：

胡小波

论文类型：

应用研究

论文编号：

lw-161017

是否译文：

否

发表时间：

2003-03-11

发表时间：

2003-03-11

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