标题：
Stacking faults in SiC crystal grown by spontaneous nucleation sublimation method
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所属单位：
晶体材料研究所
论文名称：
Stacking faults in SiC crystal grown by spontaneous nucleation sublimation method
发表刊物：
Journal of crystal growth
第一作者：
胡小波
论文类型：
应用研究
论文编号：
lw-78278
卷号：
v 292
期号：
n 2
页面范围：
192
是否译文：
否
发表时间：
2006-05
发布时间：
2019-04-14
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）