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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

Journal of Applied Crystallography

第一作者：

胡小波

论文类型：

应用研究

论文编号：

lw-87289

卷号：

页面范围：

1068

是否译文：

否

发表时间：

2009-10-03

发表时间：

2009-10-03

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