标题：
Enhanced outputpower of (indium) gallium nitride light emitting diodes by a transparent currentspreading-film composedofadisorderednetworkofindiumtinoxidenanorods
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所属单位：
晶体材料研究所
发表刊物：
Materials Science in Semiconductor Processing
全部作者：
胡小波
第一作者：
徐现刚
论文类型：
应用研究
论文编号：
lw-152017
是否译文：
否
发表时间：
2013-01-09
发表时间：
2013-01-09
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院