胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

职称：教授
所在单位：晶体材料研究院

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Progress in research of GaN-based LEDs fabricated on SiC substrate

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发表刊物：

Chin. Phys. B

全部作者：

陈秀芳,彭燕,胡小波

第一作者：

徐化勇

论文类型：

基础研究

论文编号：

lw-175597

是否译文：

否

发表时间：

2015-05-20

发表时间：

2015-05-20

上一条： Enhanced outputpower of (indium) gallium nitride light emitting diodes by a transparent currentspreading-film composedofadisorderednetworkofindiumtinoxidenanorods

下一条：高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用

扫一扫用手机查看