山东大学教师主页胡小波 Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method 中文主页

胡小波

教师姓名：胡小波
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：男
职称：教授
在职信息：在职
所属院系：晶体材料研究院

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标题：

Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

论文名称：

Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method

发表刊物：

Optical Materials

第一作者：

胡小波

论文类型：

应用研究

论文编号：

lw-161017

是否译文：

否

发表时间：

2003-03

发布时间：

2019-10-24

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