标题：
Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography
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所属单位：
晶体材料研究所
论文名称：
Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography
发表刊物：
Journal of Applied Crystallography
第一作者：
胡小波
论文类型：
应用研究
论文编号：
lw-87289
卷号：
42
页面范围：
1068
是否译文：
否
发表时间：
2009-10
发布时间：
2019-10-24
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）