标题：
Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates
发表刊物：
International Journal of ELECTROCHEMICAL
第一作者：
胡小波
全部作者：
徐现刚,彭燕
论文编号：
lw-151719
是否译文：
否
发表时间：
2013-05
发布时间：
2019-10-24
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）