标题：
Enhanced outputpower of (indium) gallium nitride light emitting diodes by a transparent currentspreading-film composedofadisorderednetworkofindiumtinoxidenanorods
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Enhanced outputpower of (indium) gallium nitride light emitting diodes by a transparent currentspreading-film composedofadisorderednetworkofindiumtinoxidenanorods
发表刊物：
Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者：
徐现刚
全部作者：
胡小波,徐现刚
论文编号：
lw-152017
是否译文：
否
发表时间：
2013-01
发布时间：
2019-10-24
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）