标题：
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (0001¯) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Mater Lett
全部作者：
陈秀芳,徐现刚,胡小波,赵显
第一作者：
张福生
论文类型：
基础研究
论文编号：
7B76B4358DC44923BDA952C8996BBAC2
卷号：
195
页面范围：
82
是否译文：
否
发表时间：
2017-06-01
发表时间：
2017-06-01
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院