标题：
Raman scattering study on phonon anisotropic properties of SiC
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Raman scattering study on phonon anisotropic properties of SiC
发表刊物：
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：
秦笑
全部作者：
陈秀芳,杨祥龙,徐现刚,胡小波,彭燕
论文编号：
4721E243E9D540FF89CA2D11AD5BEB7A
卷号：
776
页面范围：
1048
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2019-03
发布时间：
2019-10-25
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）