标题：
Anomalous Resistivity in Vanadium-Doped Semi-Insulating 4H-SiC wafers
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Anomalous Resistivity in Vanadium-Doped Semi-Insulating 4H-SiC wafers
发表刊物：
Acta Metallurgica Sinica (English Letters)
第一作者：
胡小波
全部作者：
徐现刚,胡小波
论文编号：
lw-158772
卷号：
27
页面范围：
1083
是否译文：
否
发表时间：
2014-08
发布时间：
2019-11-07
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）