胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Anomalous Resistivity in Vanadium-Doped Semi-Insulating 4H-SiC wafers

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

Acta Metallurgica Sinica (English Letters)

全部作者：

胡小波,徐现刚

第一作者：

胡小波

论文类型：

应用研究

论文编号：

lw-158772

卷号：

页面范围：

1083

是否译文：

否

发表时间：

2014-08-06

发表时间：

2014-08-06

上一条： Hierarchical Porous Patterns of n-type 6HeSiC Crystals via Photoelectrochemical Etching

下一条： Initial formation stage and succedent biomineralization of pearls

扫一扫用手机查看