标题：
Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method
发表刊物：
Optical Materials
第一作者：
胡小波
全部作者：
徐现刚,胡小波
论文编号：
lw-161017
卷号：
23
页面范围：
415
是否译文：
否
发表时间：
2003-03
发布时间：
2019-11-07
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）