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胡小波
  • 职称：教授
  • 所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
教师姓名：胡小波
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：男
职称：教授
在职信息：在职
所属院系：晶体材料研究院



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标题：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院
论文名称：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
杨祥龙
全部作者：
徐现刚,彭燕,陈秀芳
论文类型：
基础研究
论文编号：
2018zxsei1205
卷号：
22
期号：
43
页面范围：
6957
是否译文：
否
发表时间：
2018-12
发布时间：
2020-06-04
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