胡小波
  • 职称：教授
  • 所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CrystEngComm
全部作者：
陈秀芳,彭燕,徐现刚
第一作者：
杨祥龙
论文类型：
基础研究
论文编号：
2018zxsei1205
卷号：
22
期号：
43
页面范围：
6957
是否译文：
否
发表时间：
2018-12-30
发表时间：
2018-12-30
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