标题：
Induction frequency modulation for 4H-SiC growth: Thermal field evolution, dislocation suppression, and high-quality crystal preparation via PVT method
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Induction frequency modulation for 4H-SiC growth: Thermal field evolution, dislocation suppression, and high-quality crystal preparation via PVT method
发表刊物：
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：
王兴龙
论文编号：
1945405047454982145
卷号：
1036
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2025-06
发布时间：
2025-10-01
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）