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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces

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所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：Materials Science Forum

第一作者：胡小波

论文编号：57A464475826494993222F4DE6B7475D

期号：821

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2015-08-05

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