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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Morphological and microstructural analysis of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial layers

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：CrystEngComm

第一作者：于金英

论文编号：1523586492268548098

卷号：24

期号：8

页面范围：1582-1589

字数：4000

是否译文：否

发表时间：2022-02-28

上一条： Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces