性别：女
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2011-08-16
所属院系： 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间：..
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：CrystEngComm
第一作者：于金英
论文编号：1523586492268548098
卷号：24
期号：8
页面范围：1582-1589
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2022-02
发布时间：2022-10-29
上一条：Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces
下一条：用于MPCVD金刚石薄膜生长的高表面质量HTHP金刚石的制备
