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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

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高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

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所属单位:晶体材料研究院

发表刊物:《人工晶体学报》

关键字:数值模拟;PVT法

第一作者:彭燕

论文编号:C583D59BFC5149418BFCFE93A197334D

期号:5

页面范围:1145

是否译文:

发表时间:2016-03-11

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