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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

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Growth and temperature-depending raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals

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所属单位:晶体材料研究院

发表刊物:Materials Science Forum

关键字:Electric properties;Hall mobility;Nitrogen;Nitrogen compounds;Phonons;Raman scattering;Silicon carbide;Single crystals

第一作者:杨祥龙

论文编号:F5F7E8C04B1C432F83B84D21E4A75475

期号:897

页面范围:307

字数:2

是否译文:

发表时间:2017-05-15

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