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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：CRYSTENGCOMM

第一作者：彭燕

论文编号：FE028CCECC824D29AC9F02E107A1EB6E

期号：23

页面范围：353

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2020-10-12

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