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彭燕

教授(特聘)

性别:女

所在单位:新一代半导体材料研究院

入职时间:2011-08

所属院系: 晶体材料研究院

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Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment

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所属单位:新一代半导体材料研究院

发表刊物:CRYSTENGCOMM

第一作者:彭燕

论文编号:FE028CCECC824D29AC9F02E107A1EB6E

期号:23

页面范围:353

字数:3000

是否译文:

发表时间:2020-10

发布时间:2022-10-29

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