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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Nucleation growth mechanism of diamond on 4H-SiC substrate by microwave plasma chemical vapor deposition

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS

第一作者：胡秀飞

论文编号：8E5E1D1B1C7E4C2796CD135BF3F1E39B

期号：31

是否译文：否

发表时间：2022-04-15

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