教授(特聘)
性别:女
所在单位:新一代半导体材料研究院
入职时间:2011-08
所属院系: 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS
第一作者:胡秀飞
论文编号:8E5E1D1B1C7E4C2796CD135BF3F1E39B
期号:31
是否译文:否
发表时间:2022-04
发布时间:2022-10-29
上一条:Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
下一条:Inhomogeneity of Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates