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彭燕

教授(特聘)

性别:女

所在单位:新一代半导体材料研究院

入职时间:2011-08

所属院系: 晶体材料研究院

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Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods

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所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

发表刊物:CRYSTENGCOMM

第一作者:杨祥龙

论文编号:2E6077265C5949209BF66E69849ED035

期号:43

页面范围:6957

字数:2000

是否译文:

发表时间:2018-11

发布时间:2022-10-29

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