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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods

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所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：CRYSTENGCOMM

第一作者：杨祥龙

论文编号：2E6077265C5949209BF66E69849ED035

期号：43

页面范围：6957

字数：2000

是否译文：否

发表时间：2018-11-21

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