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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Nucleation growth mechanism of diamond on 4H-SiC substrate by microwave plasma chemical vapor deposition

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS

第一作者：王希玮

论文编号：32143576C2254570B520E462205E4DBE

期号：31

字数：6

是否译文：否

发表时间：2022-04-15

上一条： Correlation between the response performance of epitaxial graphene/ SiC UV-photodetectors and the number of carriers in graphene