性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:晶体材料研究院
发表刊物:Journal of Physics D: Applied Physics
第一作者:李华东
论文编号:1BB70979B034417292BA3071F05CA04E
期号:55
字数:2000
是否译文:否
发表时间:2022-09-15
上一条: Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder
下一条: Research progress of large size SiC single crystal materials and devices