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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-16

所属院系: 晶体材料研究院

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Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder

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所属单位:新一代半导体材料研究院

发表刊物:CrystEng Comm

第一作者:仲光磊

论文编号:25FCCCAEF2E040C2B6642D5F6FCDC3EA

期号:44

页面范围:7690

字数:5000

是否译文:

发表时间:2022-10

发布时间:2023-05-25

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