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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：CrystEng Comm

第一作者：仲光磊

论文编号：25FCCCAEF2E040C2B6642D5F6FCDC3EA

期号：44

页面范围：7690

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2022-10-04

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