彭燕山东大学主页平台管理系统--中文主页

彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

学术荣誉：

访问量：

最后更新时间：..

当前位置中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Hot-zone design and optimization of resistive heater for SiC single crystal growth

点击次数：

所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE Journal

第一作者：王兴龙

论文编号：E30905E21DD84A7D8F8435329EB0643D

期号：19

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2024-05-14

上一条： Origins and characterization techniques of stress in SiC crystals: A review

下一条： Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder