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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Growth of 2-inch diamond films on 4H–SiC substrate by microwave plasma CVD for enhanced thermal performance

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：VACUUM

第一作者：胡秀飞

论文编号：1637725468371140609

卷号：211

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2023-05-01

上一条： Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field