性别：女
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2011-08-16
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者：胡秀飞
论文编号：1833780037035331586
卷号：184
字数：7
是否译文：否
发表时间：2024-12-01
下一条： Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals
