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彭燕

性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：Physica Script

第一作者：李华东

论文编号：FF0C35DE99D1460F9614190109978DC8

期号：99

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2024-08-16

上一条： Roughness control in the processing of 2-inch polycrystalline diamond films on 4H-SiC wafers

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