山东大学教师主页彭燕 Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals 中文主页

彭燕

教授（特聘）

性别：女

所在单位：新一代半导体材料研究院

入职时间：2011-08

所属院系：晶体材料研究院

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Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：PHYSICA SCRIPTA Journal

第一作者：李华东

论文编号：FF0C35DE99D1460F9614190109978DC8

期号：99

字数：3000

是否译文：否

发表时间：2024-08

发布时间：2024-10-11