教授（特聘）
性别：女
所在单位：新一代半导体材料研究院
入职时间：2011-08
所属院系： 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间：..
点击次数：
所属单位：晶体材料研究所
专利类型：发明
申请号：2015106538898
发明人数：1
是否职务专利：否
申请日期：2015-10-10
发布时间：2019-04-15
上一条：一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
下一条：一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法
