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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

学术荣誉:

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一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法

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发布时间:2019-04-15

所属单位:晶体材料研究所

申请专利人:彭燕

专利类型:发明

申请号:201310683603.1

发明人数:1

是否职务专利:

申请日期:2013-12-13

公开日期:2016-03-30

授权日期:2016-03-30

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