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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

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一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法

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发布时间:2019-04-15

所属单位:晶体材料研究所

申请专利人:陈秀芳,徐现刚,胡小波,彭燕

专利类型:发明

申请号:2016103085373

发明人数:4

是否职务专利:

申请日期:2016-05-10

公开日期:2018-10-30

授权日期:2018-10-30

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