性别：女
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2011-08-16
所属院系： 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间：..
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
专利类型：发明
申请号：2017102628610
发明人数：5
是否职务专利：否
申请日期：2017-04-20
公开日期：2019-06-18
授权日期：2019-06-18
发布时间：2019-04-15
上一条：一种低氮含量SiC单晶生长装置
下一条：一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
