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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-16

所属院系: 晶体材料研究院

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一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法

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所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

专利类型:发明

申请号:201510394077.6

发明人数:5

是否职务专利:

申请日期:2015-07-07

公开日期:2017-11-14

授权日期:2017-11-14

发布时间:2019-04-16

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