性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
入职时间:2011-08-16
所属院系: 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
专利类型:发明
申请号:201810592023.4
发明人数:5
是否职务专利:否
申请日期:2018-06-11
公开日期:2020-12-08
授权日期:2020-12-08
发布时间:2022-11-15
上一条:一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
下一条:一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法