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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

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一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法

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发布时间:2022-11-15

所属单位:晶体材料研究院

专利类型:发明

申请号:201810592023.4

发明人数:5

是否职务专利:

申请日期:2018-06-11

公开日期:2020-12-08

授权日期:2020-12-08

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